Firmenblog über Infineon 1ED020I12-F2 (1200V) Gate Driver IC mit aktiven Miller-Clamping-, DESAT- und Kurzschluss-Clamping-Funktionen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. als professioneller Anbieter elektronischer Komponenten bietet Originalware des Infineon 1ED020I12-F2 Gate-Treiber-IC an und liefert hochleistungsfähige, hochzuverlässige Antriebslösungen für Ihre Projekte.

1ED020I12-F2 Produktübersicht
Der Infineon 1ED020I12-F2 ist ein 1200V Single-High-Side-Gate-Treiber-IC mit aktiver Miller-Klemmung, DESAT-Schutz und Kurzschluss-Klemmung. Als Teil der EiceDRIVER™-Familie verwendet er ein DSO-16-Wide-Body-Gehäuse, das für 600V/1200V IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs geeignet ist.

1ED020I12-F2 Spezifikationen
Produktname: 1ED020I12-F2
Marke: Infineon
Produktkategorie: Gate-Treiber-IC
Isolationstechnologie: Magnetische Kopplung (basierend auf kernloser Transformatortechnologie)
Isolationsspannung: 4500Vrms
Antriebsspannung: 1200V
Ausgangsstrom: Typisch 2A Senkenstrom / 2A Quellenstrom (Rail-to-Rail)
Ausgangsspitzenstrom: 2A
Primäre Schutzfunktionen: Präziser DESAT-Schutz, aktive Miller-Klemmung, aktives Abschalten und Kurzschluss-Klemmung, Unterspannungs-Lockout (UVLO)
Verzögerungszeit: Typisch 170ns (Einschalten) / 165ns (Ausschalten)
Versorgungsspannung: Ausgangsseite: Absolut maximal 28V, UVLO bei 12/11V; Eingangsseite: 4,5V bis 5,5V
Logikkompatibilität: Alle Logik-Pins sind mit 5V CMOS kompatibel, geeignet für den direkten Anschluss an Mikrocontroller
Gehäuse: PG-DSO-16 (Wide-Body-Gehäuse, Kriechstrecke 8mm)
Betriebstemperatur: -40°C bis 105°C (oder 150°C TJ)

1ED020I12-F2 Merkmale und Vorteile
Integrierter Schutz: Der 1ED020I12-F2 beinhaltet DESAT-Schutz, aktive Miller-Klemmung und Kurzschluss-Klemmung. Diese Funktionen verhindern effektiv IGBT-Schäden durch unbeabsichtigtes Leiten oder Kurzschlüsse, die durch Überstrom oder Miller-Effekt-Kapazität verursacht werden, und erhöhen die Systemzuverlässigkeit erheblich.
Robuste Antriebsfähigkeit: Dieser 1ED020I12-F2-Treiber liefert 2A Quellenstrom und 2A Senkenstrom, wodurch ein schnelles Schalten von Leistungshalbleitern ermöglicht wird, um Schaltverluste zu reduzieren.
Höhe Störfestigkeit: Der 1ED020I12-F2 weist eine Gleichtakt-Transientensicherheit (CMTI) von bis zu 100 kV/µs auf und gewährleistet so einen stabilen Betrieb in störungsreichen Leistungselektronik-Umgebungen.
Kompaktes Sicherheitsgehäuse: Das für den 1ED020I12-F2 verwendete PG-DSO-16-Wide-Body-Gehäuse bietet eine Kriechstrecke von 8 mm und erfüllt die Sicherheitsanforderungen für Hochspannungsanwendungen.

Typische Anwendungen
Der 1ED020I12-F2 eignet sich ideal zum Ansteuern von Leistungshalbleitern wie IGBTs und SiC-MOSFETs, die häufig in folgenden Bereichen zu finden sind:
AC- und bürstenlose DC-Motorantriebe
Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Industrielle Antriebssysteme, Nutz- und Landwirtschaftsfahrzeuge
Schweißgeräte
Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Abbildung 1. Typische Anwendungen 1ED020I12-F2

Abbildung 2. Blockdiagramm 1ED020I12-F2

Kontaktinformationen
Geschäftsanfragen: Herr Chen
Telefon: +86 13410018555 / 86-755-83294757
E-Mail: sales@hkmjd.com
Firmenadresse: Räume 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Provinz Guangdong
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