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Firmenblog über In-Stock-Versorgung mit Infineon N-Kanal-Strom-MOSFET (BSC059N04LS6)

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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In-Stock-Versorgung mit Infineon N-Kanal-Strom-MOSFET (BSC059N04LS6)
Neueste Unternehmensnachrichten über In-Stock-Versorgung mit Infineon N-Kanal-Strom-MOSFET (BSC059N04LS6)

Mingjiada Electronics auf Lager — Infineon OptiMOS™ 6 Serie N-Kanal-Leistungs-MOSFET BSC059N04LS6, ein 40 V Flaggschiffprodukt mit niedrigem Einschaltwiderstand, jetzt Muster- und Großbestellungen akzeptiert.

 

Produktbeschreibung von BSC059N04LS6
Der BSC059N04LS6 ist der OptiMOS™ 6 Serie 40V N-Kanal-Leistungs-MOSFET der sechsten Generation von Infineon, der ein fortschrittliches SuperSO8 (PG-TDSON-8)-Gehäuse aufweist und für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte optimiert ist. Der BSC059N04LS6 zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine niedrige Gate-Ladung (Qg) aus, wodurch die Schaltverluste erheblich reduziert werden, was ihn ideal für Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebe und Schnelllade-Netzteile macht.

 

Der BSC059N04LS6 verwendet den neuesten OptiMOS™ 6-Prozess von Infineon und erreicht eine Reduzierung von RDS(on) um 30 % und eine Verbesserung der Gütezahl (FOM) um 29 % im Vergleich zu Produkten der vorherigen Generation, was eine hervorragende Leistung in Server-Netzteilen, Automobilelektronik und Industrieanlagen liefert.

 

BSC059N04LS6 Hauptmerkmale
Ultra-niedriger Einschaltwiderstand: Typischer RDS(on)-Wert von nur 5,9 mΩ (VGS=10V, ID=50A), wodurch der Leistungsverlust reduziert wird.
Hohe Strombelastbarkeit: Dauerstrom bis zu 59A (Tc=25°C), geeignet für Hochleistungsanwendungen.
Schnelle Schaltleistung: Geringe Gate-Ladung (Qg = 9,4 nC) optimiert den Hochfrequenz-Schaltwirkungsgrad.
Hohe Zuverlässigkeit: Entspricht den AEC-Q101-Automobilstandards mit einem Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C.
Umweltfreundliches Design: Bleifrei und halogenfrei, konform mit den RoHS-Richtlinien.

 

Der Logic-Level-Drive des BSC059N04LS6 (leitet vollständig bei 4,5 V) macht ihn mit 3,3 V/5 V MCUs kompatibel und vereinfacht so das Systemdesign.

 

BSC059N04LS6 Schlüsselparameter
Drain-Source-Spannung (VDS): 40V
Dauerstrom (ID): 59A (Tc=25°C)
Einschaltwiderstand (RDS(on)): 5,9 mΩ @ 10V, 50A
Gate-Ladung (Qg): 9,4 nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss): 830 pF @ 20V
Gehäusetyp: PG-TDSON-8 (5×6 mm)
Betriebstemperatur: -55°C bis +175°C

 

Die BSC059N04LS6 überlegenen Parameter machen ihn zu einer idealen Wahl für hocheffiziente Netzteile und Motorantriebe.

 

BSC059N04LS6 Anwendungsbereiche
• BSC059N04LS6 eignet sich für synchrone Abwärts-DC-DC-Wandler und verbessert den Wirkungsgrad um >2 %
• BSC059N04LS6 reduziert die Verlustleistung in 48-V-Mild-Hybrid-Fahrzeugmotorantrieben und erhöht die Reichweite
• BSC059N04LS6 bietet eine synchrone Hochstrom-Gleichrichtungslösung für KI-Server-Netzteile
• Der BSC059N04LS6 wird häufig in drahtlosen Ladegeräten, LED-Beleuchtung und Lithium-Ionen-Batterieschutzplatinen eingesetzt

 

Für Anfragen wenden Sie sich bitte umgehend an Mingjiada Electronics:
Ansprechpartner: Herr Chen
Telefon: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Website:
www.integrated-ic.com

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