Mingjiada Electronics bietet jetzt den IRFP4110PBF Leistungs-MOSFET-Transistor langfristig auf Lager an. Dieser N-Kanal-MOSFET, der in einem TO-247AC-Gehäuse untergebracht ist, zeichnet sich durch Hochleistungsparameter von 100 V/180 A aus und ist somit die ideale Wahl für Anwendungen wie industrielle Stromversorgungen und Motorantriebe.
IRFP4110PBF Produktübersicht
Der IRFP4110PBF ist ein Flaggschiffprodukt der StrongIRFET™-Serie von Infineon, das die fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFET-Technologie nutzt. Er zeichnet sich durch einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand (bis zu 3,7 mΩ) und eine Verlustleistung von bis zu 370 W aus. Dieses IRFP4110PBF-Bauelement eignet sich besonders für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) und Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen.
IRFP4110PBF Spezifikationen
Spannungsfestigkeit: 100 V
Nennstrom: 180 A
Einschaltwiderstand: RDS(on) typischer Wert von 1,4 mΩ (VGS = 10 V)
Gehäusetyp: TO-247
Gate-Spannung: VGS(th) typischer Wert von 2,5 V
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +175°C
Drain-Source-Durchbruchspannung: BVDSS ≥ 100 V
Drain-Repetitive-Spitzenstrom: IDM = 360 A (Puls)
IRFP4110PBF Merkmale
Niedriger Einschaltwiderstand: Der niedrige Einschaltwiderstand des IRFP4110PBF gewährleistet einen Hochleistungsbetrieb in Hochstromanwendungen und reduziert den Stromverbrauch erheblich.
Hohe Strombelastbarkeit: Mit einer Dauerstrombelastbarkeit von 180 A kann er hohe Lasten bewältigen, wodurch sich der IRFP4110PBF für verschiedene Hochleistungsanforderungen eignet.
Hohe Zuverlässigkeit: Das Produkt durchläuft eine strenge Qualitätskontrolle und -prüfung, um Stabilität und Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen zu gewährleisten.
Schnelles Schaltverhalten: Der IRFP4110PBF verfügt über eine schnelle Schaltfähigkeit, wodurch er sich für Hochfrequenzanwendungen eignet und Schaltverluste effektiv reduziert.
Gehäusevorteile: Das TO-247-Gehäusedesign erleichtert die Wärmeableitung und Installation, wodurch sich der IRFP4110PBF für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte eignet.
Anwendungen
Der IRFP4110PBF Leistungs-MOSFET wird in folgenden Bereichen häufig eingesetzt:
Energiemanagement: Wird in Schaltnetzteilen, DC-DC-Wandlern usw. verwendet und bietet eine effiziente und stabile Leistungsumwandlung.
Motorantrieb: In industriellen Motorantrieben und Traktionsmotoren für Elektrofahrzeuge liefert der IRFP4110PBF hohe Effizienz und Zuverlässigkeit.
Solarwechselrichter: In Solarenergieerzeugungssystemen ermöglicht der IRFP4110PBF eine effiziente Leistungsumwandlung und -übertragung.
Unterhaltungselektronik: Wie z. B. Laptop-Netzteile und Tablet-Ladegeräte, bietet der IRFP4110PBF effiziente und kompakte Lösungen.
Qualitätssicherung für Lieferung und Service
Mingjiada Electronics garantiert, dass alle gelieferten IRFP4110PBF Einheiten Originalprodukte von Infineon sind, mit vollständigen Rückverfolgbarkeitsdiensten für die Lieferkette. Unsere Vorteile umfassen:
Ausreichender Lagerbestand: IRFP4110PBF-Einheiten sind immer in unserem zollfreien Lager in Shenzhen vorrätig und unterstützen dringende Anforderungen.
Flexible Beschaffungsrichtlinien: Unterstützen Sie Bestellungen ab 1 Stück, um Anforderungen von F&E-Mustern bis zur Massenproduktion zu erfüllen.
Schnelle Reaktion und Lieferung: Regelmäßige Bestellungen können am selben Tag versendet werden, mit Lieferung am nächsten Tag in die wichtigsten Städte des Landes.
Beschaffungsinformationen
Für die neuesten Angebote, Musteranfragen oder Großbestellungsanfragen für IRFP4110PBF kontaktieren Sie uns bitte über folgende Methoden:
Telefon: +86 13410018555
E-Mail: sales@hkmjd.com
Firmenadresse: Raum 1239-1241, Xinyazhou Guoli Building, Zhenzhong Road, Bezirk Futian, Stadt Shenzhen, Provinz Guangdong
Website: https://www.integrated-ic.com/
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