Firmenblog über IGBT-Transistoren FGA40N65SMD und FGA40T65SHD Feldschnitt IGBT 650 V, 40 A

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Originalversorgung IGBT Transistor FGA40N65SMD und FGA40T65SHD Feld abgeschnitten IGBT 650 V, 40 A

Gerätemodell: FGA40N65SMD, FGA40T65SHD

Kategorie: IGBT-Transistoren

Hersteller: onsemi

Verpackung: Rohr

Teilstatus: zum Verkauf

IGBT-Typ: Feldgrenze

Spannung - Kollektorbruch (maximal): 650 V

Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 80 A

Strom - Kollektorpuls (Icm): 120 A

Vce ((on) bei unterschiedlichen Vge, Ic (max): 2,5V @ 15V, 40A

Leistung - maximal 349 W

Schaltenergie: 820 μJ (ein-, 260 μJ (aus)

Eingabetyp: Standard

Schnittstelle: 119 nC

Td (an/aus) bei 25°C: Wert 12ns/92ns

Prüfbedingungen: 400 V, 40 A, 6 Ohm, 15 V

Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): 42 ns

Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C (TJ)

Anbauart: Durch Loch

Paket/Gehäuse: TO-3P-3, SC-65-3

Einheit des Lieferanten: TO-3PN

Übersicht

ON Semiconductor's neue Feld-Cut-off Gen 2 IGBTs verfügen über eine neue Feld-Cut-off IGBT-Technologie für Anwendungen, bei denen geringe Leitungs- und Schaltverluste kritisch sind, wie Solarumrichter, UPS,Schweißmaschinen, Induktionsheizung, Telekommunikation, ESS und PFC.

Eigenschaften

Höchstverbindungstemperatur TJ = 175 °C

Positiver Temperaturkoeffizient für einen einfachen Parallelbetrieb

Hochstromfähigkeit

Niedrige Sättigungsspannung: VCE (sat) = 1,9 V (typisch) @ IC = 40 A

Schnellschalten: EOFF = 6,5 uJ/A

Enge Parameterverteilung

RoHS-konform

Anwendungen

Stromerzeugung und -verteilung

Ununterbrochene Stromversorgung

Andere Industriezweige