Firmenblog über Des IGBT-Transistor-AFGHL40T65SPD 238W elektronische Bauelemente Graben-Feld-Endto-247-3

Des IGBT-Transistor-AFGHL40T65SPD 238W elektronische Bauelemente Graben-Feld-Endto-247-3

Produkt-Beschreibung von AFGHL40T65SPD

Graben-Feld-Halt AFGHL40T65SPD 238W, einzelner IGBT Transistor 28ns, Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 100°C ist 119W. Das Paket ist TO-247-3, durch Loch,

Spezifikation von AFGHL40T65SPD

Eigenschaften von AFGHL40T65SPD

• Thermischer Widerstand junction−to−case, für IGBT: 0.63°C/W
• Niedrige Sättigungs-Spannung: VCE (SAT) = 1,6 V (Art.) @ IC = 40 A
• Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 25°C: 238W
• Thermischer Widerstand junction−to−ambient: 40°C/W
• Dioden-Vorwärtsstrom @ TC < 25="">

FAQ
Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.