Firmenblog über Cypress-Speicher CY15V116QN-40BKXAT 40MHz 16Mb EXCELONTM LP Automobil-F-RAM-Speicher

Das Gedächtnis der ZypressenCY15V116QN-40BKXAT40MHz 16Mb EXCELONTM LP Automobil-F-RAM Speicher

mit einer Leistung von mehr als 50 W;Ferroelektrische RAM der nächsten Generation kombiniert ultra-niedrige Leistung mit schnellen seriellen Schnittstellen, sofortige Nichtvolatilität und unbegrenzte Lese-/Schreibzyklusdauer.Dies macht EXCELONTM F-RAM zum idealen Datenspeicher für Aufgabenkritische Systeme, einschließlich tragbarer medizinischer, tragbarer, IoT-Sensoren, Industrie- und Automobilanwendungen.

CY15V116QN-40BKXATist ein 16-Mbit-Nichtflüchtigkeitsspeicher mit geringer Leistung, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet.

CY15V116QN-40BKXATbietet Anwendern von seriellen EEPROM oder Flash als Hardware-Drop-Substitution erhebliche Vorteile.

Parameter derCY15V116QN-40BKXAT
Dichte: 16 MBit
Familie:ExcelonTM
Frequenz: 40 MHz
Schnittstellen:SPI
Bleiballveredelung:Sn/Ag/Cu
Betriebstemperatur: -40 °C - 85 °C
Betriebsspannung: 1,71 V - 1,89 V
Organisation (X x Y):2Mb x 8
Spitzenrückflusstemperatur: 260 °C

Hauptmerkmale von EXCELONTM F-RAM
Nichtflüchtige Speicher bis zu 16 Mb
Lesen/Schreiben bis zu 54 MB/s
Versorgungsspannung von 1,8 V und 3,0 V
Betrieb mit sehr geringer Energie
Zehnjährige Aufbewahrung der Daten bei +85 oC
Unbegrenzte Lese-/Schreibdauer
Null-Verzögerung schreibt bei Busgeschwindigkeiten
AEC-Q100-qualifizierte Speicher
ISO 26262-konforme Funktionssicherheit

Merkmal derCY15V116QN-40BKXAT
16-Mbit-ferroelektrischer Zufallsspeicher (F-RAM), logisch als 2048K × 8 organisiert
Schnelle serielle Peripherieoberfläche (SPI)
bis zu 40 MHz
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Mode 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzsystem
2.7 mA (typischer) aktiver Strom bei 40 MHz
Standby-Strom von 14 μA (typisch)
1.5 μA (typisch) Tiefstrom im Modus abgeschaltet
0.1 μA (typischer) Winterschlafstrom
¥40°C bis 85°C Industrie­temperatur
Beschränkung gefährlicher Stoffe (RoHS)