Firmenblog über CoolGaNTM 600V Leistungstransistor IGT60R190D1SATMA1 bietet eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. liefert und recyceln CoolGanTM 600V Leistungstransistoren IGT60R190D1SATMA1 mit hoher Effizienz und Zuverlässigkeit

Einleitung

Infineon Technologies CoolGanTM 600V Enhanced Mode (e-Mode) Leistungstransistoren ermöglichen einfachere Halbbrücke-Topologien mit schnellen Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten.hohe Leistungsdichte, eine höhere Betriebsfrequenz und eine geringere EMI. Zu den Anwendungen gehören Telekommunikation/Datenkommunikation/Server SMPS, drahtloses Laden, Ladegeräte und Adapter.

Technische Daten

Serie: CoolGaNTM

FET-Typ: N-Kanal

Technologie: GaNFET (Galliumnitrid)

Auslaufspannung (Vdss): 600 V

Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 12,5A (Tc)

Vgs ((th) bei unterschiedlichen Id (max.): 1,6V @ 960μA

Vgs ((th) (max): 1,6V @ 960μA bei verschiedenen Id's

Eintrittskapazität (Ciss) (max) bei unterschiedlichen Vds: 157 pF @ 400 V

Leistungsausfall (maximal): 55,5 W (Tc)

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Anbauart: Oberflächenhalter

Einheit des Lieferanten: PG-HSOF-8-3

Paket/Housing: 8-PowerSFN

Basisproduktnummer: IGT60R190

Eigenschaften

• Transistoren mit Verstärkungsmodus, normalerweise geschlossener Schalter
• Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
• Keine Rückforderungsgebühr
• mit einer Leistung von mehr als 1000 W
• Niedrige Torladung, niedrige Ausgangsladung
• Ausgezeichnete Kommutationsverträglichkeit
• Verbesserung der Systemeffizienz
• Erhöhte Leistungsdichte
• Unterstützt höhere Betriebsfrequenzen
• Niedrigere Systemkosten
• Verringerte EMI
• Sie entsprechen den JEDEC-Normen (JESD47 und JESD22), die für industrielle Anwendungen geeignet sind.

Das Unternehmen recyceln nur regelmäßige Kanalquellen, wie Agenten, Händler, Terminalfabriken usw., und akzeptieren keine Quellen, die nicht regelmäßige Kanalquellen sind.

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