Firmenblog über Die Anwendungen für Krafttransistoren im Automobilbereich

Mingjiada Electronic Neues und Original Infineon MOSFET für die AutomobilindustrieDie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Menge darf nicht überschritten werden. OptiMOSTM- 6 Leistungstransistor, 40V, N-Ch, 1,5 mΩ Max, SS08 (5x6)

Produktübersicht vonDie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Menge darf nicht überschritten werden.:

DieDie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Menge darf nicht überschritten werden.ist ein 40 V, N-Kanal, 1,5 mΩ maximaler Einsatzwiderstand (RDS(on)) für die Automobilindustrie in einem SS08 (5x6mm2) Paket.

Eigenschaft:

• OptiMOSTM-Technologie für die Automobilindustrie.
• N-Kanal-Verstärkung.
• AEC Q101-konform für Anwendungen in der Automobilindustrie.
• Höchstbetriebstemperatur bis 175°C.
• Grünes Produkt (RoHS-konform).
• 100% Lawine getestet.

Elektrische Eigenschaften:

• Kontinuierlicher Abflussstrom (I_D): 100A.
• An-Widerstand (RDS(an)@Vgs,Id): maximal 1,55mΩ bei V_GS=10V, Id=50A.
• Schwellspannung (Vgs(th)@Id): 3V bei Id=150uA.

Produktattribute vonDie in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Menge darf nicht überschritten werden.:

• FET-Typ: N-Kanal
• Technologie: MOSFET (Metalloxid)
• Auslaufspannung (Vdss): 40 V
• Strom bei 25°C - Dauerdurchfluss (Id): 100 A (Tc)
• Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 7V, 10V
• Bei Widerstand (Max) bei unterschiedlicher Id, Vgs: 1,55 mOhm @ 50A, 10V
• Vgs ((th) bei unterschiedlichen Id (max): 3V @ 50μA
• Schaltvorrichtung (Qg) bei Vgs (max): 55 nC @ 10 V
• Vgs (maximal): ±20V
• Eintrittskapazität (Ciss) bei unterschiedlichen Vds (max.): 3470 pF @ 25 V
• Leistungsausfall (maximal): 100 W (Tc)
• Betriebstemperatur: -55 °C bis 175 °C (TJ)
• Klasse: Fahrzeugklasse
• Qualifikation: AEC-Q101
• Anbauart: Oberflächenhalter

Wenn Sie interessiert sind, wenden Sie sich bitte telefonisch an Herrn Chen:

Tel: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

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Häufig gestellte Fragen
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