Firmenblog über Anwendungen für 800V-Hochspannungsplattformen und On-Board-Ladegeräte (OBCs): Mingjiada Electronics liefert große Mengen an SCT020HU Automotive-Grade SiC-MOSFETs

Als spezialisierter Anbieter von elektronischen Komponenten bietet Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. einen großen Lagerbestand an SCT020HU (SCT020HU120G3AG), den leistungselektronischen Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs der dritten Generation von STMicroelectronics in Automobilqualität, im HU3PAK-Gehäuse. Sie eignen sich für hochzuverlässige Stromversorgungsanwendungen wie Hauptwechselrichter in Elektrofahrzeugen, On-Board-Ladegeräte (OBCs) und DC/DC-Netzteile für EVs und HEVs. Dies sind echte, Originalprodukte, die in großen Mengen verfügbar sind, wobei auch Muster erhältlich sind.

SCT020HU Produktbeschreibung

Der SCT020HU ist ein Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-Leistungs-MOSFET der dritten Generation von STMicroelectronics, der dem Automobilstandard AEC-Q101 entspricht. Er verfügt über ein HU3PAK-Gehäuse, eine Nennspannung von 1200 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von 100 A. Durch die Nutzung der SiC-Prozesstechnologie der dritten Generation behält das Bauteil über den gesamten Temperaturbereich einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand bei. Es zeichnet sich durch geringe Gate-Ladung, geringe parasitäre Kapazität und schnelle Schaltcharakteristik aus. Mit einer integrierten robusten und schnellen intrinsischen Diode und einem Source-Detection-Pin verbessert er den Wirkungsgrad von Stromwandlern und reduziert gleichzeitig die Gesamtgröße und das Gewicht der Stromversorgungseinheit, was ihn zur bevorzugten Wahl für die Hochspannungsstromwandlung in Elektrofahrzeugen macht. Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. unterhält einen langfristigen Lagerbestand des SCT020HU, und bietet echte, lagerhaltige Produkte an, um die Bedürfnisse von F&E-Prototypen und die Beschaffung für die Massenproduktion zu erfüllen und gleichzeitig die Liefersicherheit für langfristige Projekte zu gewährleisten.

Spezifikationen

- Modell: SCT020HU (SCT020HU120G3AG)

- Marke: STMicroelectronics

- Gerätetyp: N-Kanal SiC MOSFET (Siliziumkarbid-Leistungstransistor)

- Gehäuse: HU3PAK

- Drain-Source-Spannung Vdss: 1200V

- Kontinuierlicher Drainstrom Id (Tc): 100A

- Typischer Durchlasswiderstand Rds (on): 18,5 mΩ, maximal 28 mΩ @ 50A, Vgs=18V

- Maximale Gate-Ladung Qg: 121nC @ 18V

- Maximale Eingangskapazität Ciss: 3.465 pF @ 800 V

- Gate-Spannung Vgs: Maximal +18 V, -5 V

- Maximale Verlustleistung Ptot: 281 W

- Betriebstemperaturbereich des Sperrschichtelements: -55 °C bis +175 °C

- Zertifizierungsstandards: AEC-Q101 Automobil-Qualitätszertifizierung, RoHS

- Prozess: SiC MOSFET der dritten Generation

Produktmerkmale

1. AEC-Q101 Automobil-Qualitätszertifizierung, geeignet für die rauen Hoch- und Tieftemperatur- und Vibrationsbedingungen, die in Automobilanwendungen auftreten

2. Behält einen extrem niedrigen Rds(on) über den gesamten Temperaturbereich bei, reduziert Leitungsverluste und verbessert die Energieeffizienz des Systems

3. Schnelle Schaltleistung und geringe parasitäre Kapazität unterstützen die Hochfrequenz-Stromwandlung und reduzieren die Größe des Kühlkörpers

4. Integrierte, stabile ultraschnelle Body-Diode mit ausgezeichneten Rückcharakteristiken

5. Das Source-Detection-Pin-Design optimiert die Ansteuerungssamples und verbessert die Stromwandlungseffizienz weiter

6. HU3PAK-Gehäuse mit überlegener thermischer Leistung, geeignet für Hochleistungs-, Hochdichte-Leistungsmodule

7. Die Siliziumkarbid-Prozesstechnologie der dritten Generation gewährleistet hohe Zuverlässigkeit und eignet sich für langlebige Automobilanwendungen

Anwendungsszenarien

- Hauptantriebswechselrichter für Elektrofahrzeuge (EV/HEV)

- On-Board-Ladegeräte (OBC)

- Hochspannungs-DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge

- Hochspannungsnetzteile für Energiespeicherwandler

- Industrielle Hochspannungsnetzteile und Hochleistungs-Ladestations-Leistungsmodule

Mingjiada Electronics Lieferservices

Gegründet 1996, verfügt Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. über die internationale Qualitätsmanagement-Systemzertifizierung ISO 9001 und ist spezialisiert auf die Lieferung von Komponenten für die Sektoren 5G, neue Energie, Internet der Dinge (IoT) und Internet der Fahrzeuge (IoV).

Für die SCT020HU-Serie bietet Mingjiada Electronics die folgenden Liefergarantien:

1. Lagerverfügbarkeit: Wir verfolgen eine Lagerhaltungsstrategie, die Musteranfragen und Großbestellungen unterstützt, um die Anforderungen in jeder Phase zu erfüllen, von der F&E-Prüfung bis zur Hochlaufphase der Massenproduktion.

2. Originalprodukte: Wir garantieren 100% Originalprodukte und stellen umfassende Datenblätter und technischen Support zur Verfügung.

3. One-Stop-Auftragsabwicklung: Neben SiC-Diskreten Bauteilen bieten wir ergänzende Dienstleistungen für MCUs in Automobilqualität, Treiber-ICs und Peripheriekomponenten an, wodurch die Komplexität der Lieferketten unserer Kunden reduziert wird.

Bitte kontaktieren Sie Mingjiada Electronics für die neuesten Angebote und Lagerinformationen:

Website: www.hkmjd.com

Telefon: +86 13410018555

E-Mail: sales@hkmjd.com

Adresse: Räume 1239–1241, Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen

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