Firmenblog über Hochverlässlicher Speicher für die Luft- und Raumfahrt: Infineon CYEL15B102Q-SXM NewSpace Strahlungshärter F-RAM

Infineon CYEL15B102Q-SXM Strahlungsgehärtetes F-RAM für NewSpace – Mingjiada Electronics spezialisiert auf die Lieferung und Beschaffung von hochzuverlässigen Speicherchips in Luft- und Raumfahrtqualität

CYEL15B102Q-SXM Produktübersicht: Strahlungsgehärtetes F-RAM für NewSpace

Der CYEL15B102Q-SXM ist ein strahlungsgehärtetes, hochzuverlässiges, kompaktes 2-Mbit nichtflüchtiges SPI-Schnittstellen-F-RAM, das von Infineon für NewSpace-Satelliten im niedrigen Erdorbit (LEO) entwickelt wurde. Unter Verwendung der ferroelektrischen Speichertechnologie bietet er sofortige Schreibfähigkeit, extrem hohe Lese-/Schreibausdauer und geringen Stromverbrauch. Er erfüllt die hohen Zuverlässigkeitsanforderungen und die Anforderungen an raue Umgebungen in der Luft- und Raumfahrt und ist speziell für kritische Speicheranwendungen wie Satellitenplattformen, Nutzlasten, Bordsensoren und Datenprotokollierung konzipiert.

Mingjiada Electronics bietet langfristige Lieferung von brandneuen, originalen, auf Lager befindlichen CYEL15B102Q-SXM Geräten sowie Ankauf und Recycling zu hohen Preisen. Wir unterstützen die Komplettierung von Bestellungen aus den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Hochzuverlässigkeit aus einer Hand.

CYEL15B102Q-SXM Spezifikationen

Marke/Modell: Infineon CYEL15B102Q-SXM

Speicherkapazität: 2 Mbit (256K × 8)

Schnittstellentyp: SPI, bis zu 25 MHz

Speichertyp: Nichtflüchtiges F-RAM (Ferroelectric RAM)

Strahlungstoleranz: 50 kRad(Si) TID

Betriebsspannung: 2,0 V–3,6 V

Betriebstemperatur: -55°C bis +125°C (Militärqualität)

Gehäuse: 8-Pin SOIC (kleine Größe, hohe Zuverlässigkeit)

Ausdauer: 10¹⁴ Zyklen (unbegrenzte Lese-/Schreibvorgänge)

Datenspeicherung: 121 Jahre bei 85°C

Merkmale: Sofortiges Schreiben ohne Verzögerung, geringer Stromverbrauch, strahlungsgehärtet, hohe Zuverlässigkeit

Konformität: AEC-Q006, RoHS, Single Lot Date Code (SLDC), 100% vollständig getestet

CYEL15B102Q-SXM Merkmale

Mbit-Dichte

SPI-Schnittstelle mit einer Betriebsfrequenz von bis zu 25 MHz

Infineon Instant Non-Volatile Write Technology

10 Billionen Lese-/Schreibzyklen Ausdauer

120 Jahre Datenspeicherung bei +85°C

Ultra-niedrige Programmierspannung (2 V)

Betriebsspannungsbereich von 2,0 V–3,6 V

Geringer Betriebsstrom (max. 10 mA)

-55°C/+125°C militärische Temperaturklasse

8-Pin SOIC-Gehäuse

CYEL15B102Q-SXM Produktvorteile

Konform mit AEC-Q006

Konform mit RoHS

50 Krad (Si) TID Strahlungstoleranz

Single Lot Date Code (SLDC)

100% elektrische Testabdeckung

Konformitätszertifikat (CoC)

Anwendungen: NewSpace-Satelliten, LEO-Konstellationen, Bordsensorik, Weltraumsteuerung, hochzuverlässige Datenprotokollierung

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Als führender globaler unabhängiger Distributor elektronischer Komponenten lädt Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Kunden aus den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Satellitentechnik, Verteidigung und High-End-Industrie herzlich zur Zusammenarbeit ein. Ob Sie CYEL15B102Q-SXM strahlungsgehärtetes F-RAM beschaffen müssen oder über Lagerbestände in Luft- und Raumfahrtqualität verfügen, die verwaltet werden müssen, wir bieten professionelle, effiziente und konforme Dienstleistungen.

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