Firmenblog über Erwerbs-elektronische Bauelemente der Erwerbs-Transistor-AFGHL40T65SQ 238W einzelner IGBTs der Transistor-TO-247-3

Erwerbs-elektronische Bauelemente der Erwerbs-Transistor-AFGHL40T65SQ 238W einzelner IGBTs der Transistor-TO-247-3

Produkt-Beschreibung von AFGHL40T65SQ
Einzelne IGBTs Transistoren AFGHL40T65SQ 238W - IGBT-Graben-Feld-Endtransistoren, Paket ist- TO-247-3 (durch Loch), vorübergehende Gate−To−Emitter-Spannung ist ±30V.

Spezifikation von AFGHL40T65SQ

Eigenschaften von AFGHL40T65SQ

• Thermischer Widerstand junction−to−case, für Diode: 1.71°C/W
• Dioden-Vorwärtsstrom @ TC < 100="">
• Funktionierende Kreuzung/Lagertemperaturbereich: -55°C | 175°C (TJ)
• 100% der Teile werden auf ILM geprüft
• Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 100°C: 119W

Besondere bereiten Prozess auf

1. Sie können Ihre IC-/moduleaktien einfach klassifizieren und das Modell, die Marke, das Produktionsdatum, die Quantität, das etc. identifizieren.

2. Schicken Sie unserem Bewertungsteam per Fax oder der E-Mail bitte Ihre Inventarliste.

3. Wenn Sie das Kaufangebot von einem unserer Fachleute empfangen, können wir über die spezifische Geschäftsmethode und -lieferung verhandeln und eine Vereinbarung erreichen.

4. Wir bereiten nur von den normalen Wegen, wie Mitteln, Händler und Fabriken auf und nehmen nicht unregelmäßige Quellen an.

Kauf-Art
Wir kaufen die verschiedenen elektronischen Bauelemente und IC lagern, einschließlich, aber nicht beschränkt auf zu viel: 5G IC, neue Energie IC, Internet von Sachen IC, BT IC, Internet von Fahrzeugen IC, Automobil-Standardic, Basisstation IC, Kommunikation IC, künstliche Intelligenz IC, medizinische IC, Haushaltsgerät IC, Stimme IC, Gedächtnis IC, Sensor IC, Mikroregler IC, Transceiver IC, Handy IC, tragbare IC, Verbindungsstücke, Beleuchtung IC, Kondensatorwiderstände, TO-247, Dioden und Trioden.