Erwerb SCT2080KEHRC11 N-Kanal-Transistoren, Erwerb Speicher-IC-Chip, integrierter Schaltkreis-Chip, IGBT-Module für den Automobilbereich
Erwerb von N-Kanal-Transistoren
SCT2080KEHRC11 - N-Kanal-Transistoren 1200 V 40A (Tc) durch Loch TO-247N
FET-Typ
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N-Kanal
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Technologie
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SiCFET (Siliziumkarbid)
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Abflussspannung zur Quelle (Vdss)
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1200 V
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Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
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40A (Tc)
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Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)
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18V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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117mOhm @ 10A, 18V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 4,4mA
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Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs
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106 nC @ 18 V
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Vgs (maximal)
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+22V, -6V
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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2080 pF @ 800 V
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Betriebstemperatur
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175°C (TJ)
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Zulassung
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Automobilindustrie
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Qualifikation
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AEC-Q101
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Typ der Montage
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Durchs Loch
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Lieferanten-Gerätepaket
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
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Packung / Gehäuse
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TO-247-3
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Ansprechpartner: Mr. Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753