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N-Kanal-Anreicherungstyp MOSFET der Erwerbs-integrierten Schaltung des Chip-DMT47M2SFVWQ 40V 150°C
N-Kanal-Anreicherungstyp MOSFET der Erwerbs-integrierten Schaltung des Chip-DMT47M2SFVWQ 40V 150°C
Produkt-Beschreibung von DMT47M2SFVWQ
DMT47M2SFVWQ-N-Kanal MOSFET ist ein Anreicherungstyp 40V MOSFET mit ausgezeichnetem QG-× RDS (AN) Produkt (FOM) und Tief RDS (AN). Das niedrige RDS (AN) garantiert, dass die Ein-Zustands-Verluste minimal sind. Dieser MOSFET sichert zuverlässiges zu und die robuste Endenanwendung, die bis 100% passend ist, unclamped induktive Schaltung und Test in der Produktion.
DMT47M2SFVWQ MOSFET ist entworfen, um die zwingenden Bedingungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.
Spezifikation von DMT47M2SFVWQ
Teilnummer:
DMT47M2SFVWQ
7,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
nC 12,1
- 55 C
+ 150 C
2,67 W
Eigenschaften von DMT47M2SFVWQ
Anreicherungstyp 40V MOSFET
Ausgezeichnetes QG-× RDS (AN) Produkt (FOM)
Niedriges RDS (AN) stellt minimale Ein-Zustands-Verluste sicher
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
Sichert zuverlässiges zu und die robusten Endanwendungen, die bis 100% passend sind, unclamped induktive Schaltung und Test in der Produktion
Entwarf, die zwingenden Bedingungen von Automobilanwendungen zu erfüllen
Bleifrei und völlig RoHS konform
PPAP fähig
Freies ‚grünes Gerät‘ des Halogens und des Antimons
AEC-Q101 qualifizierte
Anwendungen von DMT47M2SFVWQ
Motorsteuerung
Energiemanagementfunktionen
DC-DC Konverter
Automobilanwendungen
Kauf-Art
Wir kaufen eine breite Reihe Module, die auf den verschiedenen Gebieten, einschließlich, aber nicht beschränkt auf 5G, neue Energie, Internet von Sachen, Internet von Fahrzeugen, Automobil-Standardgeräte, Basisstationen, Kommunikationen, künstliche Intelligenz, Hochfrequenz, Haushaltsgeräte, Thyristoren, ärztliche Bemühung, Industrie, Bluetooth 5,0, Ethernet, Sensoren, optische Module, DC/DC, Wi-Fi, LPWA, GNSS und IGBT benutzt werden.
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