Übernahme Renesas FET-Treiber Bewertungsgremium:FET-Treiber,GaN FET-Treiber,Synchron Buck FET-Treiber
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. wurde von der chinesischen Behörde für die elektronische Ausrüstung und -technologie ermittelt.ist ein weltweit führender Recycler von elektronischen Komponenten, der sich verpflichtet hat, seinen Kunden professionelle Dienstleistungen im Bereich des Recyclings elektronischer Komponenten anzubieten,Kunden beim Verarbeiten von Inventar helfen, die Lagerhaltung zu reduzieren und die Lagerhaltungskosten und die Verwaltungskosten zu senken.
Der Bereich des Recyclings hat folgende Hauptvorteile:
1. Vollständige Modelldeckungsfähigkeit
Unterstützt das Recycling elektronischer Komponenten verschiedener Marken und Modelle, einschließlich integrierter Schaltkreis-ICs, 5G-Chips, Neuen-Energie-ICs, IoT-Chips, Bluetooth-Chips, Automobil-Chips,ICs mit künstlicher Intelligenz, Ethernet-ICs, Speicherchips, Sensoren, IGBT-Module usw., die Automobilelektronik, industrielle Steuerung, Kommunikation, KI und andere Bereiche abdecken.
2. Fachliche Bewertung und teure Wiederherstellung
Wir haben ein erfahrenes technisches Team, das Echtheitsprüfungen und Leistungsüberprüfungen durchführt, um eine genaue Preisgestaltung zu gewährleisten.
3Effizienter und flexibler Serviceprozess
Bereitstellung eines 24-Stunden-Schnellen Angebots und Unterstützung des Modus "Inspection am selben Tag, Zahlung am selben Tag".
Akzeptieren Sie das gemischte Recycling von ganzen Chargen/Schüttgut und unterstützen Sie die Abholung von Tür zu Tür, die grenzüberschreitende Logistik und die Abholung in Lagerhäusern.
I. FET-Treiberbewertungsgremien: Die Hochsicherheits-Industrie-Stiftung
Die Universal-FET-Treiber-Evaluierungstafeln konzentrieren sich darauf, eine stabile, robuste Torantriebsfähigkeit zu liefern, die für verschiedene Anwendungen geeignet ist, einschließlich Motorantrieb und Leistungsumwandlung.Der Kernwert liegt in der Vereinfachung der Konstruktionskomplexität von Hochspannungs-, Hochstromschaltkreise.
1Kernmodelle und Merkmalenanalyse
Die Bewertungstafeln der Serien ISL78424EVAL3Z/ISL78444EVAL1Z sind speziell für die Bewertung von 100V-Halbbrückenantrieben ausgelegt.
Robuste Antriebskapazität: Lieferung von 3A Quellstrom und 4A Sinkstrom, wodurch ein schnelles Ein- und Ausschalten von MOSFET ermöglicht wird, um Schaltverluste effektiv zu reduzieren.
Integrierte Konstruktion: Verknüpft zwei eingebaute N-Kanal-MOSFETs, um eine vollständige Halbbrückenergie-Stufe zu bilden, die eine direkte Lastverbindung (z. B. Gleichstrommotoren) für die Prüfung ermöglicht.
Intelligente Steuerung und Schutz:
Drei-Ebenen-PWM-Eingang (ISL78424/ISL78444): Steuerung der High- und Low-Side-Treiber gleichzeitig mit einem einzigen Signal, wodurch die Schnittstelle der Steuerung vereinfacht wird.
Programmierbare Tode Zeit: Durch einen einzigen Widerstand (35ns bis 400ns) verstellbar, um eine direkte Leitung zwischen hohen und niedrigen Seiten zu verhindern und die Systemsicherheit zu gewährleisten.
Breiter Betriebsbereich: Versorgungsspannung von 8V bis 18V, Hochspannungsschalter bis zu 70V und Betriebstemperatur von -40°C bis +140°C,Erfüllung anspruchsvoller Anforderungen der Industrie und der Automobilindustrie.
2Typische Anwendungsfälle
Brushed/Brushless DC (BLDC) Motor Drive: bietet Antriebslösungen für Ventilatoren, Pumpen und Robotergelenke.
Synchrone Schaltregler: Für die Stromversorgung mit Gleichspannung verwendet.
Industrielle Stromversorgungen und Automatisierungsgeräte: aufgrund ihrer hohen Zuverlässigkeit geeignet für Fabrikautomationssteuerungssysteme.
II. Ausschuss für die Bewertung von FET-Fahrern für Galliumnitrid (GaN): Effizienz- und Dichtegrenzen vergrößern
Da die Nachfrage nach hoher Leistungsdichte und Effizienz in KI, Schnellladung und erneuerbaren Energiesystemen steigt, stehen Lösungen auf Basis von breitbandreichen Halbleitern GaN an vorderster Front.Der GaN-Bewertungsausschuss von Renesas behebt Engpässe bei der Umstellung von Hochleistungsmotoren.
1. Kernmodell- und Merkmalsanalyse
Das RTKA226110DE0010BU-Bewertungsbrett dient als Paradebeispiel und integriert den RAA226110-Gate-Treiber mit einem 650-Volt-GaN-E-HEMT (Enhanced High Electron Mobility Transistor).
Zukunftsfähige GaN-Integration: Die 650-Volt-GaN-Geräte von GaN Systems reduzieren die Schaltverluste um bis zu 50% und die Leistungsdichte um das Dreifache im Vergleich zu traditionellen Silizium-basierten MOSFETs.
0V-Absperrung vereinfacht das Design: bietet eine 0V-Absperrspannungslösung, die komplexe Schaltkreise zur Erzeugung von Negativspannung eliminiert,besonders geeignet für Anwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung, um das Design zu optimieren.
Einsatzbereite Halbbrücke-Topologie: Die Auswertungsplatine enthält alle erforderlichen Schaltkreise, einschließlich einer isolierten Stromversorgung und einer Wärmeabwasserkanne,mit einem integrierten Halbbrücken-Motordriverboard von nur 35 mm Höhe und kompatibel mit 1U-Chassis.
Außergewöhnliche Leistung des Geräts: In Kombination mit den Renesas-FETs der vierten Generation SuperGaN® (z. B. TP65H030G4P-Serie) mit einem niedrigen Ansprechwiderstand von 30 mΩ und einer optimierten Schwellenspannung von 4 V,Gewährleistung der Geräuschdichtigkeit bei gleichzeitiger Verbesserung der Effizienz.
2Typische Anwendungsfälle
Energieversorgung für AI-Rechenzentren: in totempolischen PFC-Architekturen mit 800 V verwendet, mit einem Spitzenwirkungsgrad von mehr als 99,2% und einer Leistungsdichte von bis zu 120 W/in3,damit die Energieeffizienz der Server erhöht wird.
EV-Schnellladestationen: Unterstützt 22kW+ Hochleistungsladung.Hohe Schaltfrequenzen (> 500 kHz) in Kombination mit Eigenschaften mit geringem Verlust reduzieren die Transformatorgröße und die Kosten für die thermische Verwaltung erheblich.
PV-Speicher- und Kommunikationsnetzteile: Geeignet für hocheffiziente Solarmikroumrichter und bidirektionale Gleichspannungs-Gleichspannungsumrichter, die die Effizienz des gesamten Energiezyklus erhöhen.
III. Bewertungsausschuss für Fahrer der synchronen Buck-FET: präzises und effizientes Strommanagement
Für Anwendungen, die eine mehrkanälige, verstellbare und hocheffiziente Buckkonvertierung erfordern,Der Bewertungsausschuss für die synchrone Buck-Steuerung stellt eine umfassende Plattform zur Überprüfung des Strommanagements bereit..
1Kernmodelle und Merkmalenanalyse
Bei den Bewertungsgremien ISL78264EVAL1Z und ISL81601EVAL1Z zeigen sie unterschiedliche Leistungsschwerpunkte.
Ihre wichtigsten Merkmale sind in der nachstehenden Tabelle zusammengefasst:
ISL78264EVAL1Z Bewertungsgremium
Kernsteuerung ISL78264 Doppelsynchrone Bucksteuerung
Eingangsspannungsbereich 3,75 V bis 42,0 V
Ausgangskapazität Kanal 1: 3,3 V/5 V fest oder 0,8-5 V einstellbar; Kanal 2: 0,8-32 V einstellbar
Schaltfrequenz 200 kHz bis 2 MHz programmierbar
Kernvorteile Doppel unabhängige Ausgänge, außergewöhnliche Flexibilität, ultra-niedriger Ruhezustand (6μA pro Kanal)
Typische Anwendungen Automobil-EKU, Infotainment-Systeme, industrielle Steuerung
ISL81601EVAL1Z Bewertungsgremium
Kerncontroller ISL81601 60V Hochspannungssynchroner Buck-Controller
Eingangsspannungsbereich 9V bis 60V
Ausgangsleistung Unterstützt bidirektionalen Betrieb; Ausgangsstrommöglichkeit hängt von externen FET und Induktor ab
Schaltfrequenz Programmierbar von 100 kHz auf 600 kHz
Hauptvorteile Hohe Eingangsspannung, bidirektionale Bedienung, integrierte robuste Schutzfunktionen
Typische Anwendungen Hochstromanwendungen, batteriebetriebene Systeme, Stromversorgungen für Kommunikationsgeräte
2Vorteile des Entwurfs
Diese Bewertungsgremien bieten gemeinsam eine außergewöhnliche Flexibilität und Zuverlässigkeit:
Hocheffizienzmodi: Unterstützt gezwungenes PWM und leichte belastungsspeichernde Modi (z. B. DEM, Pulsspringen) zur Optimierung des Wirkungsgrades im gesamten Lastbereich.
Umfassende Schutzvorrichtungen: Integrierter Schutz vor Überspannung (OVP), Unterspannung (UVP), Überstrom (OCP) und Übertemperatur (OTP) gewährleistet einen stabilen Betrieb des Systems.
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