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BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung

BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung
BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung

Großes Bild :  BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: BSC050N10NS5
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TDSON-8-7
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

BSC050N10NS5 100V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 100A Dauer-Drainstrom und 136W Verlustleistung

Beschreibung
Teilenummer: BSC050N10NS5 Verlustleistung: 3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Id – Kontinuierlicher Entladestrom: 100 A
Herbstzeit: 7 ns Typische Abschaltverzögerungs-Zeit: 19 ns
Hervorheben:

Transistor MOSFET-100V

,

100 A Dauerstrom-MOSFET-Transistor

,

Integrierter Schaltkreischip mit 136 W Verlustleistung

BSC050N10NS5 Integrierter Schaltkreis Chip 100V N-Kanal Einzel-MOSFET-Transistoren
Produktübersicht von BSC050N10NS5

BSC050N10NS5 ist ein N-Kanal 100V 16A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Oberflächenmontagetransistor mit PG-TDSON-8-7 Gehäuse.

Technische Spezifikationen von BSC050N10NS5
Parameter Wert
Teilenummer BSC050N10NS5ATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3,8V @ 72µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 50 V
Hauptmerkmale von BSC050N10NS5
  • Optimiert für Hochleistungs-SMPS
  • 100% Lawinentest
  • Überlegter thermischer Widerstand
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Teilenummer Gehäuse
ISL58302D1RTZ TQFN-24
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Häufig gestellte Fragen
F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neu und original importiert ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Mengen oder Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und kleine Bestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Ihrer Bestellung oder Ihren Projektanforderungen.
F: Wie versenden Sie meine Bestellung? Ist es sicher?
A: Wir verwenden Express-Spediteure, darunter DHL, FedEx, UPS, TNT und EMS. Wir können auch Ihren bevorzugten Spediteur verwenden. Die Produkte sind professionell verpackt, um die Sicherheit zu gewährleisten, und wir haften für Schäden an Ihrer Bestellung.
F: Was ist mit der Lieferzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Für nicht vorrätige Artikel bestätigen wir die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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